Investigadores surcoreanos anunciaron que han logrado construir una memoria no-volátil basada en memristores utilizando, en lugar del dióxido de titanio, delgadas películas de óxido de grafeno. Estas memorias se consideran ideales para la electrónica portátil del futuro ya que brinda un soporte de almacenamiento de información más denso, barato y de bajo consumo energético.
Los memristores son considerados la promesa de hacer realidad un nuevo tipo de memoria más eficiente y sobre todo barata, ya que...
el óxido de grafeno es una sustancia no costosa y además permite obtener métodos de fabricación más sencillos.
Por ahora, los dispositivos de grafeno son 1.000 veces superiores en tamaño respecto a los memristores de HP, pero como se sabe, eso cambia con el futuro. La vida útil de este tipo de sistemas está prevista en unos 100 mil ciclos de “cambios de estado”, es decir, un rendimiento similar a una típica memoria flash, aunque se espera que estas cifras puedan elevarse a 1 millón de ciclos. Además, los dispositivos no han demostrado degradación luego de ser sometidos a más de mil ensayos de flexión. De este modo, los nuevos memristores demuestran que son capaces de ofrecer características excelentes para el desarrollo de memorias no volátiles.
"Creemos que el óxido de grafeno puede ser el elemento apropiado para el desarrollo de las memorias de próxima generación", afirmó Choi Sung-Yool, quien dirige la investigación de estos dispositivos flexibles en el Instituto de Investigación de Electrónica y Telecomunicaciones en Daejeon, Corea del Sur. “Ahora el desafío pasa al plano de la miniaturización, y sobre eso sabemos que sólo es cuestión de tiempo”, sostuvo.
Fuente: ABC
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